1. 静电传输透镜：能量扫描范围0～3200eV，最小能量步长≤1.5meV；
2.荷电中和器：与静电传输透镜同轴的超低能单电子源，不使用双束中和（电子源和离子源），避免离轴的电子源和离子源对粉末样品表面荷电中和时产生荷电阴影，并防止使用离子源时对样品表面产生损伤（化学状态还原、离子迁移等）；
3.电子能谱能量分析器
4.平行成像电子能量分析器
5. 深度剖析离子枪技术要求
6. 加热制冷装置温度控制范围：-100℃~800℃
7. 离子散射谱（ISS）
8. 冷却水系统

① 鉴别样品表面的元素种类、化学价态以及相对含量；
② 微区 XPS 分析，用于样品微区(≥15μm）表面成分分析，高能量分辨的化学态分析；
③ 深度剖析 XPS，结合离子刻蚀技术对样品（如薄膜等）进行成分深度分布分析;
④ 通过角分辨还可以进行非损伤成分深度分布分析；
⑤ 可对样品表面元素或化学态进行表面分布 mapping 分析，使分析结果更直观；

1. Al Kα 单色化 X 射线源 XPS 技术要求：
1.1 Ag 样品大束斑分析能量在不同分辨率下的灵敏度（Ag 3d5/2 峰）： 分辨率为 0.45eV 条件下峰 强度≥160kcps；分辨率为 0.48eV 条件下峰强度≥650kcps；分辨率为 0.6eV 条件下峰强度≥2500kcps ， 束斑大小 300μm×700μm 矩形；
1.2 Ag 样品最小束斑能量在不同分辨率下的灵敏度（Ag 3d5/2 峰）：分辨率为 0.48eV 条件下峰强度 ≥1.5kcps、分辨率为 0.6eV 条件下峰强度≥6kcps，束斑大小 15μm 圆形；
2.单色化高能 XPS 技术要求
2.1 X 射线源类型：Ag 单色 X 射线源；功率 600 瓦
2.2 大束斑能量分辨和灵敏度：5kcps；
3.真空系统技术要求：
3.1 分析室：μ 金属制造，涡轮分子泵抽速400 升/秒，烘烤后真空度≤7×10-8Pa；
3.2 进样室：不锈钢制造，涡轮分子泵抽速240 升/秒，烘烤后真空度≤7×10-7Pa；
3.3 烘烤系统：集成于系统，含有控制单元，软件控制，最高烘烤温度≥120 ºC。